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高純水設(shè)備中膜面水解離過程的數(shù)值計算研究

時間:2014-11-13 作者:admin 點擊:493次

通過對高純水設(shè)備過程進行二維建模并求解,模擬了高純水設(shè)備運行中陰陽膜的膜面水解離及其產(chǎn)物在床層中的傳遞過程.結(jié)

果表明,由于陰膜界面上存在水解離催化基團,陰膜水解離程度要高于陽膜,過量的陰膜水解離產(chǎn)物H+能穿過電流湮滅區(qū)使得靠

近陽膜的陽樹脂再生而陽膜水解離產(chǎn)物OH-不能穿過電流湮滅區(qū),導(dǎo)致淡室出口處陰膜附近的陰樹脂的轉(zhuǎn)化率極低.根據(jù)再生樹

脂對鹽離子遷移的增強作用,陽鹽離子去除率要高于陰鹽離子,因此陰陽鹽離子目標(biāo)去除率同時達到的時候,陰膜產(chǎn)生了無效的

水解離,此水解離在必要水解離之外.因此EDI電流效率低的主要原因是陰陽膜水解離程度的差異.

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